8月19日，外資投行摩根士丹利（Morgan Stanley）的最新報告指出，DDR4和SLC NAND的供應吃緊狀況仍將繼續，今年下半年價格仍將繼續上漲。
摩根士丹利指出，產能向先進技術轉移，使一般傳統標準型DDR4與SLC NAND面臨晶圓分配嚴重縮水的問題。報告預估，技術較為成熟的DRAM（如DDR4）的價格將在2026年第三季大漲50%，第四季再度上漲10%。相較之下，SLC NAND的漲勢更為猛烈，預計在2026年底前的最後兩個季度中，每季都將大漲50%。此外，NOR Flash第四季度及2027年上半年價格持續面臨上行壓力，主要受工業、汽車、網路、邊緣AI及AI伺服器需求支撐。
造成這一輪記憶體晶片供應吃緊的狀況，主要是因為各大記憶體製造商將產能大舉轉移至高頻寬記憶體（HBM）、DDR5以及企業級SSD等高毛利產品，導致技術較成熟的標準型產品（如DDR4與SLC NAND）的市場供貨佔比被嚴重壓縮所導致。
更為關鍵的是，HBM的極高的DRAM晶圓消耗量，每生產一份HBM，需要消耗三份傳統DRAM晶圓數量，這不僅是因為其垂直堆疊的物理結構，更因為在設計上，記憶體單元無法緊鄰用於物理連接各層的矽穿孔（TSVs），大幅降低了生產效率並增加了耗損。
